該 VF526DT 雙極鎖存、雙霍爾效應(yīng)數(shù)字式位置傳感器配備兩個(gè)霍爾感應(yīng)元件，位于距單集成電路芯片 1,4 mm [0.055 in] 處。元件被封裝在熱固性成型材料中。

兩個(gè)主動(dòng)式的鎖存式霍爾傳感器指示出越過(guò)封裝表面的磁場(chǎng)梯度的速度和方向，如旋轉(zhuǎn)環(huán)形磁鐵的梯度。

小巧的 4 針 SOT-89B 式封裝，可在印刷電路板上和柔性電路中進(jìn)行表面安裝。VF526DT 內(nèi)置溫度補(bǔ)償旨在用于匹配溫度系數(shù)，其適用于可靠、低成本和傳感磁性要求應(yīng)用。

獨(dú)特的穩(wěn)壓電路可提供極其穩(wěn)定的電源電壓，范圍3.4 Vdc 至 24 Vdc。該電路可直接與多種電子元件接入，無(wú)需緩沖或補(bǔ)償電路。